| 1. | |
강의소개 및 반도체 기초 복습 | 1. 강의 소개 2. 반도체 기초 복습 |  |
| 2. | |
PN 접합 다이오드-열평형상태 | 1. 열평형상태-공핍층, 전위장벽 2. 역방향 바이어스 | |
| 3. | |
PN 접합 다이오드-전류전압 특성 | 1. 전류전압 특성 2. 전류 방정식 | |
| 4. | |
금속-반도체 접촉 다이오드 | 1. 정류성 접촉 2. 옴 접촉 3. 전류-전압 특성 | |
| 5. | |
MOS 커패시터 | 1. MOS 커패시터의 동작원리 2. 문턱반전 | |
| 6. | |
문턱반전 전압 | 1. 일함수 차이 2. 평탄화전압 3. 문턱전압 | |
| 7. | |
커패시턴스-전압 특성과 전류-전압 특성 | 1. 커패시턴스-전압 특성 2. 전류-전압 특성 3. 선형 및 비선형 식 유도 | |
| 8. | |
소신호등가회로와 MOSFET 스케일링 | 1. 소신호 등가회로 2. 주파수 제한요인 3. 차단주파수 4. 일정 전계 스케일링 | |
| 9. | |
문턱전압 변조, 고온전자효과, 제작기술 | 1. 비이상적인 특성 2. 문턱전압 변조 3. 고온전자효과 4. 제작기술 | |
| 10. | |
바이폴라 트랜지스터 개요 및 동작 원리 | 1. 간단한 바이폴라 트랜지스터 역사 2. 바이폴라 트랜지스터 동작원리 | |
| 11. | |
소수 캐리어 분포 및 공통 베이스 전류 이득 | 1. 소수 캐리어 분포 2. 전류 기여 인자 3. 전류 방정식 | |
| 12. | |
비이상적인 효과, 제작 기술 | 1. 베이스 폭 변조-Early 효과 2. 고 주입 3. 이미터 밴드갭 협소 4. 주파수 제한 5. 제작 기술 | |
| 13. | |
강의자료 | 강의소개 |  |
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강의자료 | PN 접합과 금속-반도체 접촉(L) | |
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강의자료 | MOSFET 기초(L) | |
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강의자료 | Bipolar Tr(L) | |
대구광역시 동구 동내로 64(동내동 1119) 우)41061
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