1. | 실리콘 결정격자 | 1..반도체 기본 개념 2.단위격자 3다이아몬드 구조 4.밀러인덱스 | ||
실리콘 결정격자 | 1..반도체 기본 개념 2.단위격자 3다이아몬드 구조 4.밀러인덱스 | |||
2. | 전자와 정공의 결합모델 | 1. 공유결합 2. 전도전자 3. EHP 및 재결합 4. n형 및 p형 반도체 5.에너지밴드 | ||
전자와 정공의 결합모델 | 1. 공유결합 2. 전도전자 3. EHP 및 재결합 4. n형 및 p형 반도체 5.에너지밴드 | |||
3. | 에너지 대역 모델 | 1.에너지 대역 2.에너지밴드 다이어그램 3.도너와 억셉터 4. 반도체, 도체, 절연체 | ||
에너지 대역 모델 | 1.에너지 대역 2.에너지밴드 다이어그램 3.도너와 억셉터 4. 반도체, 도체, 절연체 |
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에너지 대역 모델 | 1.에너지 대역 2.에너지밴드 다이어그램 3.도너와 억셉터 4. 반도체, 도체, 절연체 | |||
4. | 상태밀도와 페르미함수 | 1. 유효질량 2. 상태밀도 3.페르미함수 | ||
상태밀도와 페르미함수 | 1. 유효질량 2. 상태밀도 3.페르미함수 | |||
5. | 전자농도와 정공농도 | 1.페르미레벨의 특징 2. 전자농도와 정공농도 3. 페르미 준위와 캐리어 농도 | ||
전자농도와 정공농도 | 1.페르미레벨의 특징 2. 전자농도와 정공농도 3. 페르미 준위와 캐리어 농도 | |||
6. | 페르미레벨과 전자정공농도 | 1.페르미레벨과 전자정공농도 | ||
페르미레벨과 전자정공농도 | 1.페르미레벨과 전자정공농도 | |||
7. | 전하중성 | 1.페르미레벨과 전자정공농도 2. 공간전하중성 3. 도펀트 보상 4.캐리어농도의 온도의존성 | ||
전하중성 | 1.페르미레벨과 전자정공농도 2. 공간전하중성 3. 도펀트 보상 4.캐리어농도의 온도의존성 | |||
8. | 열운동과 전류밀도 | 1. 전자의 운동에너지 2. 평균자유시간 및 평균자유행로 3. 기초 물리 및 전기자기학 | ||
열운동과 전류밀도 | 1. 전자의 운동에너지 2. 평균자유시간 및 평균자유행로 3. 기초 물리 및 전기자기학 | |||
9. | 드리프트 전류 | 1. 표동 2. 전자와 정공의 이동도 3. 산란 매커니즘 4. 드리프트 전류와 전도도 | ||
드리프트 전류 | 1. 표동 2. 전자와 정공의 이동도 3. 산란 매커니즘 4. 드리프트 전류와 전도도 | |||
10. | 확산전류 | 1.확산 2. 전체전류 3.에너지 다이어그램 4.아인슈타인 관계식 | ||
확산전류 | 1.확산 2. 전체전류 3.에너지 다이어그램 4.아인슈타인 관계식 | |||
11. | pn접합 | 1. pn접합의 에너지 다이어그램 2. 공핍층 3. 내부전위 | ||
pn접합 | 1. pn접합의 에너지 다이어그램 2. 공핍층 3. 내부전위 | |||
12. | 접촉전위차 및 공핍층 모델 | 1. 접촉전위차 2.포아송 방정식 3. 공핍층에서의 전계와 전위 4. 공핍층의 폭 5. pn접합의 역바이어스 | ||
접촉전위차 및 공핍층 모델 | 1. 접촉전위차 2.포아송 방정식 3. 공핍층에서의 전계와 전위 4. 공핍층의 폭 5. pn접합의 역바이어스 | |||
13. | 전류연속방정식 | 1. 공핍층의 정전용량 2. 제너항복 3.애벌런치항복 4.정바이어스 5.전류연속방정식 6. pn다이오드의 IV특성 | ||
전류연속방정식 | 1. 공핍층의 정전용량 2. 제너항복 3.애벌런치항복 4.정바이어스 5.전류연속방정식 6. pn다이오드의 IV특성 |