반도체 소자 특성
- 경북대학교
- 강인만
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- 주제분류
- 공학 >전기ㆍ전자 >전기전자공학
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- 강의학기
- 2017년 1학기
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- 조회수
- 12,254
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- 강의계획서
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반도체 소자의 기본적인 물성 뿐만 아니라 MOS 소자에 대한 원리를 심도있게 이해하고 해석할 수 있는 능력을 배양하도록 한다.
차시별 강의
| 1. | |
Electrons and Holes in Semiconductors (1) | Electrons and Holes in Semiconductors (1) |  |
| 2. | |
2강. Electrons and Holes in Semiconductors (2) | 2강. Electrons and Holes in Semiconductors (2) | |
| 3. | |
3강. Electrons and Holes in Semiconductors (3) & Motion and recombination of electrons and holes | 3강. Electrons and Holes in Semiconductors (3) & Motion and recombination of electrons and holes | |
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4강. Motion and Recombination of Electrons and Holes & MOS capacitor | 4강. Motion and Recombination of Electrons and Holes & MOS capacitor | |
| 5. | |
5강. Motion and recombination of electrons and holes | 5강. Motion and recombination of electrons and holes | |
| 6. | |
6강. Motion ans Recombination of electrons and holes (2) | 6강. Motion ans Recombination of electrons and holes (2) | |
| 7. | |
7강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | 7강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | |
| 8. | |
8강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | 8강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | |
| 9. | |
9강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | 9강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | |
| 10. | |
10강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | 10강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 | |
| 11. | |
11강. GaN Devices | 11강. GaN Devices | |
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