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  • 주제분류
    공학 >전기ㆍ전자 >전기전자공학
  • 강의학기
    2017년 1학기
  • 조회수
    8,595
  •  
강의계획서
강의계획서
반도체 소자의 기본적인 물성 뿐만 아니라 MOS 소자에 대한 원리를 심도있게 이해하고 해석할 수 있는 능력을 배양하도록 한다.

차시별 강의

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1. 문서 Electrons and Holes in Semiconductors (1) Electrons and Holes in Semiconductors (1) URL
2. 문서 2강. Electrons and Holes in Semiconductors (2) 2강. Electrons and Holes in Semiconductors (2) URL
3. 문서 3강. Electrons and Holes in Semiconductors (3) & Motion and recombination of electrons and holes 3강. Electrons and Holes in Semiconductors (3) & Motion and recombination of electrons and holes URL
4. 문서 4강. Motion and Recombination of Electrons and Holes & MOS capacitor 4강. Motion and Recombination of Electrons and Holes & MOS capacitor URL
5. 문서 5강. Motion and recombination of electrons and holes 5강. Motion and recombination of electrons and holes URL
6. 문서 6강. Motion ans Recombination of electrons and holes (2) 6강. Motion ans Recombination of electrons and holes (2) URL
7. 문서 7강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 7강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 URL
8. 문서 8강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 8강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 URL
9. 문서 9강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 9강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 URL
10. 문서 10강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 10강. 1T-DRAM을 중심으로 바라본 DRAM 개발 및 연구동향 URL
11. 문서 11강. GaN Devices 11강. GaN Devices URL

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