USLI공정기술
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- 주제분류
- 공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
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- 강의학기
- 2014년 1학기
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- 조회수
- 14,656
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0.18um급 실리콘 바탕의 CMOS공정기술을 위한 제조공정의 설계 기법을 익히기 위해 먼저 제조공정시 필요한 기본기술인 실리콘 웨이퍼와 제조공정 및 웨이퍼 공정시 오염제어 및 웨이퍼내 결정결함을 다룬다. 그후 제조공정을 위한 챔버내 가스 흐름도의 제어 방법을 다룬후 0.18um CMOS 집적회로 제조공정 기술을 위한 공정 흐름도를 설계한다. CMOS설계 공정기술이 끝나면 단위공정기술을 익힌다. ULSI급 공정에 필요한 단위공정 기술로는 산화공정, 증착공정과 금속증착 공정을 다룬다. 시간 여유가 나면 포토공정을 다룬다.
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반도체산업 소개
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반도체산업 소개 | 반도체 산업의 기술 근원 및 반도체산업의 트랜드 |  |
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반도체재료의 특성 | 원자구조,물질의 종류 | |
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반도체 디바이스 기술 | IC Resistir 및 CApaitor 구조, 반도체소자 및 CMOS IC 구조 | |
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실리콘과 웨이퍼 제조공정 | 실리콘등급, 결정구조 및 방위, CZ & Float Zone 성장,웨이퍼 제조공정 | |
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| 5. | |
웨이퍼 공정시 오염 제어 | 오염원과 제어법, 오염의 종류 | |
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| 6. | |
결함준위 고찰 | Analytical Equipment [SIMS,AFM,AES,XPS,TEM] | |
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| 7. | |
프로세스 챔버내 가스제어 | 진공 및 진공펌퍼, 챔내 공정가스 흐름도, 잔유가스 측정법 | |
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| 8. | |
0.18um CMOS 공정 | Twin Well, STI, LDD, metallixa\zation etc. | |
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산화공정 | 열적 산화막 성장과 Furnace | |
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CVD증착 공정 | 박막 및 화학기상 증착 & SOG 증착기법 | |
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포토레지스트 현상 | 노광후 현상 및 hard baking & 체세대 리소그라피 시술 | |
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