1. | Semiconductors(1) | 공유결합, Intrinsic Silicon, PN junction electron-hole pair generation | ||
2. | Semiconductors(2) | Doped Silicon, Diffusion Current Drift Current, Biasing | ||
3. | Semiconductors(3) | The pn Junction Under Forward-Bias Conditions | ||
4. | Diodes(1) | Diode 특성, 온도영향 | ||
5. | Diodes(2) | 등가회로 | ||
6. | Diodes(3) | 다이오드 응용회로 | ||
7. | BJT(1) | BJT 구조 | ||
8. | BJT(2) | BJT 동작원리 | ||
9. | BJT(3) | 등가회로 | ||
10. | BJT(4) | 스위치 및 증폭기 동작 소개 | ||
11. | BJT(5) | Biasing | ||
12. | BJT(6) | 소수신호의 정의 | ||
13. | BJT(7) | 소수신호 등가회로 모델 CE 증폭기 해석 | ||
14. | BJT(8) | 에미터 저항이 있는 CE 증폭기 해석, CB 증폭기 해석 | ||
15. | BJT(9) | CC증폭기(Emitter Follower) 해석 | ||
MOSFET(1) | MOSFET의 구조 및 동작원리 | |||
MOSFET(2) | I-V특성식 유도, 등가회로 | |||
MOSFET(3) | 스위치 및 증폭기 동작 소개, Biasing | |||
MOSFET(4) | 소수신호의 정의, 소수신호 등가회로 모델 CS 증폭기 해석 | |||
MOSFET(5) | CG증폭기해석 CD증폭기(Source Follower) 해석 |