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- 주제분류
- 공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
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- 강의학기
- 2015년 2학기
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- 조회수
- 115,402
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- 평점
- 4.7/5.0 (10)
- 강의계획서
- 강의계획서
본 콘텐츠는 반도체 제조공정(단위공정, CMOS 일괄공정), MOS 소자 등 반도체 관련 기반기술에 관한 내용을 포함하고 있으므로, 아날로그집적회로설계, SoC구조및설계 등의 교과목 수강생들 중 관련 기초 지식이 부족한 학생들에게 유용하게 활용될 수 있음.
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차시별 강의
| 1. | ![]() |
반도체 제조공정(1) | 단결정 실리콘 제조 | |
| 2. | ![]() |
반도체 제조공정(2) | MOS 단위 공정 (에피택시, 열산화) | |
| 3. | ![]() |
반도체 제조공정(3) | MOS 단위 공정 (식각, 이온주입, 열확산, 증착, 리소그래피) | |
| 4. | ![]() |
반도체 제조공정(4) | CMOS 일괄 공정 | |
| 5. | ![]() |
반도체 제조공정(5) | 레이아웃 | |
| 6. | ![]() |
반도체 제조공정(6) | 레이아웃 설계규칙, 레이아웃 설계실습 | |
| 7. | ![]() |
MOSFET(1) | MOS 구조 | |
| 8. | ![]() |
MOSFET(2) | 증가형 MOSFET의 구조, 문턱전압 | |
| 9. | ![]() |
MOSFET(3) | 증가형 MOSFET의 전압-전류 특성 공핍형 MOSFET의 구조 및 특성 | |
| 10. | ![]() |
기생 RC의 영향 | MOSFET의 기생 커패시턴스, 기생 RC의 영향 | |
| 11. | ![]() |
MOSFET 시뮬레이션 | MOSFET 시뮬레이션 실습 | |
| 12. | ![]() |
CMOS Inverter(1) | MOS 인버터의 구조 및 특성 파라미터 | |
| 13. | ![]() |
CMOS Inverter(2) | CMOS 인버터의 DC 특성 | |
| 14. | ![]() |
CMOS Inverter(3) | CMOS 인버터의 스위칭 특성 | |
| 15. | ![]() |
CMOS Inverter(4) | CMOS 인버터의 전력소모 특성 | |
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CMOS Inverter(5) | 다단 CMOS 인버터 버퍼 | |
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CMOS Inverter(6) | nMOS 및 pseudo nMOS 인버터 | |
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CMOS Inverter(7) | MOS 인버터의 시뮬레이션 실습 | |
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MOSFET 스위치 | MOSFET 스위치 및 PTL | |
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CMOS 전달게이트 | CMOS 전달 게이트 | |
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CMOS Static Logic(1) | CMOS 정적 논리회로의 구조와 동작 | |
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CMOS Static Logic(2) | CMOS 정적 논리회로의 스위칭 특성 | |
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CMOS Static Logic(3) | 논리회로의 지연 모델링(1) | |
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CMOS Static Logic(4) | 논리회로의 지연 모델링(2) | |
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Dynamic Logic(1) | 동적 논리회로의 구조와 동작 특성 | |
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Dynamic Logic(2) | 도미노 동적 논리회로, np-CMOS 동적 논리회로 | |
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Sequential Logic(1) | 래치 회로, 래치의 타이밍 파라미터 | |
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Sequential Logic(2) | 플립플롭 회로, 플립플롭의 타이밍 파라미터 | |
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Sequential Logic(3) | 순차회로의 동작 타이밍 | |
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Sequential Logic(4) | 클록 스큐와 클록 지터의 영향 | |
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Memory Circuits(1) | 반도체 메모리의 종류와 구조 | |
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Memory Circuits(2) | ROM의 구조, 마스크 ROM | |
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Memory Circuits(3) | EPROM 셀의 동작원리, EEPROM 셀의 동작원리 | |
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Memory Circuits(4) | 플래시 메모리 셀의 구조와 동작, NAND형 플래시 메모리 | |
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Memory Circuits(5) | NOR형 플래시 메모리 | |
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Memory Circuits(6) | SRAM 회로 | |
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Memory Circuits(7) | DRAM 회로 | |
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