전자물성
- 경북대학교
- 소린 크리스토르베뉴
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- 주제분류
- 공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
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- 강의학기
- 2013년 1학기
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- 조회수
- 7,810
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- 평점
- 0/5.0 (1)
반도체 재료 및 소자의 전기적 특성평가: 진보된 SOI 구조의 적용
- 수강안내 및 수강신청
- ※ 수강확인증 발급을 위해서는 수강신청이 필요합니다
Chap.2 물질의 특성 (1)
차시별 강의
| 1. | |
Chap.2 물질의 특성 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |  |
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Chap.2 물질의 특성 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.2 물질의 특성 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.2 물질의 특성 (4) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 2. | |
Annex.1 SOI 물질들 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Annex.1 SOI 물질들 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (1) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
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| 3. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (2) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (3) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
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| 4. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (4) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
| 5. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (5) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
| 6. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (6) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
| 7. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (7) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
| 8. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (8) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (9) | C-V 분석을 통한 반도체 특성 평가 | |
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| 9. | |
Appendix 2. SOI Devices (1) | 여러 SOI 소자들을 살펴본다. | |
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Appendix 2. SOI Devices (2) | 여러 SOI 소자들을 살펴본다. | |
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| 10. | |
Appendix 2. SOI Devices (3) | 여러 SOI 소자들을 살펴본다. | |
| 11. | |
Chapter 4. 전계효과 트랜지스터 측정방법 (1) | 전계효과 트랜지스터의 측정방법과 해석하는 방법을 안다. | |
| 12. | |
Chapter 4. 전계효과 트랜지스터 측정방법 (2) | 전계효과 트랜지스터의 측정방법과 해석하는 방법을 안다. | |
| 13. | |
Chapter 4. 전계효과 트랜지스터 측정방법 (3) | 전계효과 트랜지스터의 측정방법과 해석하는 방법을 안다. | |
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Chapter 4. 전계효과 트랜지스터 측정방법 (4) | 전계효과 트랜지스터의 측정방법과 해석하는 방법을 안다. | |
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| 14. | |
Chapter 4. 전계효과 트랜지스터 측정방법 (4) | 전계효과 트랜지스터의 측정방법과 해석하는 방법을 안다. | |
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