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  • 주제분류
    공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
  • 강의학기
    2012년 1학기
  • 조회수
    50,465
  • 평점
    4/5.0
1. To become proficient in basic analysis, and design of linear and non-linear analog electrical circuits

2. To learn to the operation of semiconductor diodes, junction transistors, and field effect transistos

3. To desing amplifier circuits to perform desired functions
전자회로 소개 (1)
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1. 전자회로 소개 (1) 강의소개 URL
전자회로 소개 (2) 증폭기 URL
전자회로 소개 (3) 증폭기 회로모델 URL
2. 반도체 다이오드 이론 (1) 이상적인 다이오드 URL
반도체 다이오드 이론 (2) 다이오드의 특성 URL
3. 반도체 다이오드 이론 (3) 다이오디의 순방향 특성 모델-1 URL
반도체 다이오드 이론 (4) 다이오디의 순방향 특성 모델-2 URL
반도체 다이오드 이론 (5) 역방향 항복 영역에서의 동작 - 제너 다이오드 URL
4. 다이오드 응용 (1) 정류기 회로-1 URL
다이오드 응용 (2) 정류기 회로-2 URL
다이오드 응용 (3) 리미팅 회로와 클램핑 회로 URL
5. FET 트랜지스터 이론 (1) MOSFET의 소자 구조와 물리적인 동작-1 URL
FET 트랜지스터 이론 (2) MOSFET의 소자 구조와 물리적인 동작-2 URL
FET 트랜지스터 이론 (3) MOSFET의 전류-전압 특성-1 URL
FET 트랜지스터 이론 (4) MOSFET의 전류-전압 특성-2 URL
6. MOSFET 직류 바이어스 해석 (1) 직류에서의 MOSFET 회로-1 URL
MOSFET 직류 바이어스 해석 (2) 직류에서의 MOSFET 회로-2 URL
7. MOSFET 직류 바이어스 해석 (3) 증폭기로서의 MOSFET URL
MOSFET 직류 바이어스 해석 (4) MOS 증폭기 회로에서의 바이어싱-1 URL
MOSFET 직류 바이어스 해석 (5) MOS 증폭기 회로에서의 바이어싱-2 URL
8. FET 소신호 증폭특성 분석 (1) MOS 증폭기 소신호 동작과 모델-1 URL
FET 소신호 증폭특성 분석 (2) MOS 증폭기 소신호 동작과 모델-2 URL
9. FET 소신호 증폭특성 분석 (3) 단일단 MOS 증폭기-1 URL
FET 소신호 증폭특성 분석 (4) 단일단 MOS 증폭기-2 URL
FET 소신호 증폭특성 분석 (5) 단일단 MOS 증폭기-3 URL
10. BJT 트랜지스터 이론 (1) BJT의 소자 구조와 물리적인 동작 URL
BJT 트랜지스터 이론 (2) BJT의 전류-전압 특성-1 URL
BJT 트랜지스터 이론 (3) BJT의 전류-전압 특성-2 URL
11. BJT 트랜지스터 직류 바이어스 해석 (1) 증폭기와 스위치로서의 BJT URL
BJT 트랜지스터 직류 바이어스 해석 (2) 직류에서의 BJT 회로-1 URL
BJT 트랜지스터 직류 바이어스 해석 (3) 직류에서의 BJT 회로-2 URL
12. BJT 트랜지스터 직류 바이어스 해석 (4) 직류에서의 BJT 회로-3 URL
BJT 트랜지스터 직류 바이어스 해석 (5) BJT 증폭기 회로에서의 바이어싱 URL
BJT 트랜지스터 교류모델링 (1) BJT 증폭기 소신호 동작과 모델-1 URL
13. BJT 트랜지스터 교류모델링 (2) BJT 증폭기 소신호 동작과 모델-2 URL
BJT 트랜지스터 교류모델링 (3) BJT 증폭기 소신호 동작과 모델-3 URL
14. BJT 소신호 증폭특성 분석 (1) 단일단 BJT 증폭기-1 URL
BJT 소신호 증폭특성 분석 (2) 단일단 BJT 증폭기-2 URL
BJT 소신호 증폭특성 분석 (3) 단일단 BJT 증폭기-3 URL

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사용자 의견

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ppori996 2017-04-19
동영상 감사히 잘 보고있습니다
jkh6968 2015-06-13
고생 많으십니다
운영자2013-03-19
안녕하세요~ KOCW 운영팀입니다. 5-1차시강의 해당 내용을 설명하는 교재는 (Microelectronic Circuits, A. S. Sedra and K. C. Smith, Oxford, 2011, 5th ed.)라고 합니다. 문의에 대한 답변이 첨부된 캡쳐화면을 얻으시려면 KOCW대표메일로 연락주시기 바랍니다.^^
pcming 2012-10-11
MOSFET 물리적 특성 설명에서 채널이 형성되는 전자가 소스와 드레인에서 온다고 하셨는데 body 에서 전자를 끌어와서 채널이 형성되는 걸로 아는데요. 잘못 설명된 것 같습니다. 5-1 영상입니다.

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