반도체 특성 평가
- 경북대학교
- 소린 크리스토르베뉴
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- 주제분류
- 공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
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- 강의학기
- 2011년 2학기
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- 조회수
- 10,868
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이 교과목은 반도체 물질 및 소자의 전기적 특성에 대해 법칙과 방법론을 가르치려 합니다.
- 수강안내 및 수강신청
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소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성
차시별 강의
| 1. | |
소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |  |
| 2. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 3. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 4. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 5. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 6. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 7. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 8. | |
Annex.1 SOI 물질들 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 9. | |
Annex.2 SoI 소자 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 10. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 11. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 12. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 13. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 14. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 15. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 16. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (4) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 17. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (5) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 18. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (6) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 19. | |
Annex.2 캐패시터가 없는Floating-body SOI DRAMs | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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