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반도체 공학 개괄 | 반도체 공학에 대한 전반적인 정보와 기초 지식 |  |
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1장. 원자배열 구조와 반도체 (1) | 전류 밀도에 대한 이해와 원자 배열 구조의 중요성 | |
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1장. 원자배열 구조와 반도체 (2) | 원자 배열 주기성에 따른 전자 재료의 구분과 Unit Cell | |
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1장. 원자배열 구조와 반도체 (3) | Wigner Seitz Cell과 3차원 원자 배열 구조의 종류 | |
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1장. 원자배열 구조와 반도체 (4) | Diamond 구조의 특성과 결정의 방향/면을 표시하는 방법 | |
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2장. 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 (1) | 양자 역학 기초에 대한 개괄 | |
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2장. 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 (2) | 에너지 보존 법칙을 이용한 Schrodinger Wave Equation의 유도 | |
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2장. 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 (3) | Schrodinger Wave Equation을 해석하기 위한 기초 | |
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2장. 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 (4) | Schrodinger Wave Equation에 대한 이해 및 응용 | |
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2장. 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 (5) | Schrodinger Wave Equation의 응용 - 무한 에너지 장벽에 갇힌 전자 (1) | |
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2장. 반도체 특성 이해를 위한 양자역학 기초 (6) | Schrodinger Wave Equation의 응용 및 E-k 관계도 | |
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3장. 주기구조 반도체의 에너지 대역과 이동전하 (1) | 주기적 원자배열 구조를 가진 반도체의 특성 개괄 | |
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3장. 주기구조 반도체의 에너지 대역과 이동전하 (2) | 주기 구조 반도체의 E-k 관계도 | |
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3장. 주기구조 반도체의 에너지 대역과 이동전하 (3) | E-k 관계도 해석 - 전기적, 광학적 특성 | |
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3장. 주기구조 반도체의 에너지 대역과 이동전하 (4) | 반도체 내 존재하는 전자/hole의 농도를 결정하는 요소 (1) | |
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3장. 주기구조 반도체의 에너지 대역과 이동전하 (5) | 반도체 내 존재하는 전자/hole의 농도를 결정하는 요소 (2) | |
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4장. 열평형 상태의 반도체 (1) | 열평형 상태에서 반도체 내에 존재하는 전자/hole의 농도를 나타내는 방법 (1) | |
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4장. 열평형 상태의 반도체 (2) | 열평형 상태에서 반도체 내에 존재하는 전자/hole의 농도를 나타내는 방법 (1) | |
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4장. 열평형 상태의 반도체 (3) | 불순물 주입에 의한 전기적 특성 조절 (1) | |
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4장. 열평형 상태의 반도체 (4) | 불순물 주입에 의한 전기적 특성 조절 (2) | |
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4장. 열평형 상태의 반도체 (5) | 반도체 내의 전하 이동 mechanism | |
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5장. 전하의 이동과 전류형성 (1) | 전류 관계식(1) | |
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5장. 전하의 이동과 전류형성 (2) | 전류 관계식(2), Hall 측정 | |
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5장. 전하의 이동과 전류형성 (3) | 이동도와 충돌 mechanism | |
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6장. 과잉캐리어의 생성과 재결합 (1) | 과잉 캐리어의 생성과 재결합 | |
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6장. 과잉캐리어의 생성과 재결합 (2) | 과잉 캐리어의 재결합률과 평균수명, 연속 방정식 개요 | |
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6장. 과잉캐리어의 생성과 재결합 (3) | 연속 방정식의 의미와 응용 | |
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6장. 과잉캐리어의 생성과 재결합 (4) | 확산 방정식과 결함준위를 통한 과잉 캐리어의 생성과 재결합 | |
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6장. 과잉캐리어의 생성과 재결합 (5) | quasi-Fermi level과 PN접합 개요 | |
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7장. PN접합의 형성과 에너지 대역도 (1) | PN접합의 형성 및 특징 | |
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7장. PN접합의 형성과 에너지 대역도 (2) | PN접합의 에너지 대역도(1) | |
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7장. PN접합의 형성과 에너지 대역도 (3) | PN접합의 에너지 대역도(1) 및 C-V특성 | |
대구광역시 동구 동내로 64(동내동 1119) 우)41061
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