반도체 특성 평가 2
- 경북대학교
- 소린 크리스토르베뉴
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- 주제분류
- 공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
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- 강의학기
- 2010년 2학기
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- 조회수
- 7,029
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이 교과목은 반도체 물질 및 소자의 전기적 특성에 대해 법칙과 방법론을 가르치려 합니다.
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소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성 (1)
차시별 강의
| 1. | |
소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |  |
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소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 2. | |
Chap.2 물질의 특성 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.2 물질의 특성 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 3. | |
Chap.2 물질의 특성 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Annex.1 SOI 물질 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 4. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 5. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Annex.2 SoI 소자 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 6. | |
Annex.2 SoI 소자 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Annex.2 SoI 소자 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 7. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 8. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.4 MOSFET 측정 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 9. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.4 MOSFET 측정 (4) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 10. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (5) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 11. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (6) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Chap.4 MOSFET 측정 (7) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 12. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (8) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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Annex.2 캐패시터가 없는Floating-body SOI DRAMs | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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| 13. | |
질의응답 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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질의응답 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
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