반도체공학
- 건국대학교
- 전종욱
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- 주제분류
- 공학 >정밀ㆍ에너지 >반도체학
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- 강의학기
- 2017년 2학기
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- 조회수
- 16,813
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- 평점
- 4.5/5.0 (4)
- 강의계획서
- 강의계획서
강의 중 나오는 새로운 용어들은 물리전자와 양자역학의 배경을 곁들여 보다 이해하기 쉽게 강의하며 산발적인 질문으로 수업진행을 내내 긴장의 연속으로 이끌어 간다. 물리전자공학을 수강한 학생이라면 수업진행에 도움이 많으리라 사료된다. 본 과목을 한 학기 수강한 후 전자공학의 꽃이고 바탕인 반도체 소자들의 기본 물성론을 이해하는데 뿌듯함을 느낄 수 있도록 강의를 진행한다.
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Basic Physics
차시별 강의
| 1. | |
Basic Physics | 4.3 Reverse-biased PN junction 4.4 Capacitance-Voltage Characteristics 4.6 Carrier Injection under forward Bias-Quasi-Equilibrium boundary Cond. |  |
| 2. | |
PN Junctions | 4.7 Current Continuity Equation 4.8 Excess Carriers in Forward-Bias 4.9 PN Diode IV Characteristics 4.9.1 Contributions from Depletion Regions | |
| 3. | |
Metal-Semiconductor Junctions | 4.0 Schottky Junction | |
| 4. | |
Application to optoelectronic devices | 4.12.1 Solar cell basics 4.12.2 Light penetration Depth | |
| 5. | |
Application to optoelectronic devices | 4.12.1 Solar cell basics 4.12.2 Direct-/Indirect-Gap semiconductor 4.12.3 Short-Circuit current, Isc 4.12.3 Open-Circuit Voltage, Voc 4.12.4 Output power 4.13 Light-Emitting Diodes(LEDs) | |
| 6. | |
MOS Capacitor | 5.1 Flat-Band condition/voltage 5.2 Surface Accumulation 5.3 Surface Depletion 5.4 Threshold condition/voltage | |
| 7. | |
MOS Capacitor | 5.1 Flat-Band condition/voltage 5.2 Surface Accumulation 5.3 Surface Depletion 5.4 Threshold condition/voltage | |
| 8. | |
MOS Capacitor | 5.5 Strong Inversion beyond threshold 5.5.1 Choice of Vt and Gate doping Type 5.6 MOS C-V Chraacteristics | |
| 9. | |
MOS Capacitor | 5.8 Poly-Si gate depletion-effective increase in tox 5.9 Inversion and Accumulation Charge-Layer 쏴 5.7 Oxide Charge | |
| 10. | |
MOS Transistor | 6.1 introduction to the MOSFET 6.2 Complementary MOS(CMOS) Technology 6.3 Surface Mobilities | |
| 11. | |
MOS Transistor | 6.4 MOSFET Vt, Body effect, and steep retrograding doping 6.5 Q_INV in MOSFET 6.6 Basic MOSFET I-V model | |
| 12. | |
MOS Transistor | 6.6 Basic MOSFET I-V model 6.8 Velocity Saturation 6.9 MOSFET I-V Model with Velocity Saturation | |
| 13. | |
MOS Transistor | 6.9 MOSFET I-V Model with Velocity Saturation 6.10 Parasitic source-Drain Resistances | |
| 14. | |
MOS Transistor | 6.11 Extraction on Rsd and Leff 6.13 Output Conductance 6.14 High-Frequency performance | |
| 15. | |
MOSFETs in Ics-Scaling, Leakage, and Other Topics | 7.1 Technology Scaling 7.2 Subthreshold Current | |
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