| 1. | |
소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |  |
| 2. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 3. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 4. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 5. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 6. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 7. | |
Chap.2 물질의 특성 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 8. | |
Annex.1 SOI 물질들 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 9. | |
Annex.2 SoI 소자 | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 10. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 11. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 12. | |
Chap.3 캐패시터와 다이오드 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 13. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (1) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 14. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (2) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 15. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (3) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 16. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (4) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 17. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (5) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 18. | |
Chap.4 MOSFET 측정 (6) | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
| 19. | |
Annex.2 캐패시터가 없는Floating-body SOI DRAMs | 반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 | |
대구광역시 동구 동내로 64(동내동 1119) 우)41061
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