| 1. |
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반도체재료 개요 |
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반도체재료 개요 및 관점 |
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| 2. |
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반도체의 전자와 홀 |
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실리콘 결정 구조 |
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| 3. |
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밴드 모델의 기부자와 수락자 |
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페르미 레벨 및 담체 농도 |
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| 4. |
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전자와 구멍의 움직임과 재조합 / 드리프트 01 |
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드리프트 02 / 확산 전류 |
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| 5. |
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D와 u 사이 아인슈타인 관계 / 전자 구멍 생성 및 재조합 |
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| 6. |
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PN 접합 01 / 독의 방정식 |
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| 7. |
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고갈 - 층 (모델/너비) |
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고장 / PN 접합 02 |
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| 8. |
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PN 접합 03 / 담체 주입 |
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현재 연속 방정식 |
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| 9. |
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광전자 장치에 적용 |
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M-S 접합 / MOS |
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| 10. |
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플랫 밴드 상태 01 / 표면 축적 01 / 표면 고갈 01 / 임계 조건 |
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플랫 밴드 상태 01 / 표면 축적 01 / 표면 고갈 01 / 임계 조건 / CCD 장치와 CMOS 장치 01 |
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| 11. |
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CD 장치와 CMOS 장치 02 / MOSFET 소개 |
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CMOS 기술 / 기본 MOSFET IV 모델 01 |
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| 12. |
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기본 MOSFET IV 모델 02 / CMOS 변환장치 |
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디지털 전자회로 |
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| 13. |
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SRAM, DRAM, 비 휘발성 (플래시) 메모리 소자 |
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| 14. |
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기말시험 |
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대구광역시 동구 동내로 64(동내동 1119) 우)41061
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