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전자회로1(회로이론2, 전자회로2)

  • 금오공과대학교
  • 김명식
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  • 주제분류
    공학 >전기ㆍ전자 >전자공학
  • 강의학기
    2014년 2학기
  • 조회수
    219,591
  • 평점
    4.6/5.0 (51)
전자회로1은 회로이론과 마찬가지로 전자공학도에게는 기초과목으로써 반드시 이수해야할 과목으로 군복무와 같이 장기간 학업의 연속이 끊어질 경우 새로 학업을 할 필요성이 있는 학생뿐 만아니라 복습의 기회가 필요한 학생에게 개발 예정 콘텐츠는 매우 도움을 많이 될 것으로 사료됨

강의 내용에 대한 문의는 교수님(kimms@kumoh.ac.kr)께 문의 바랍니다.
반도체 물성(I)
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차시별 강의

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1. 반도체 물성(I) 반도체 재료, 에너지 밴드, 전자의 여기 URL
2. 반도체 물성(II) 정공의 정의, 진성반도체, 외인성 반도체, n-type, p-type URL
3. 반도체 물성(III) Drift, Diffusion current, excess carrier, carrier lifetime URL
4. p-n 접합(I) p-n Junction, Built-in voltage, Depletion region URL
5. p-n 접합(II) Reverse bias, Junction Capacitance, 역포화전류 URL
6. p-n 접합(III) Forward bias, Diffusion capacitance, Temperature effect, Breakdown, Switching URL
7. p-n diode(I) Diode model, Rectifier, Graphic Analysis, Iterative method. URL
p-n diode(II) Piecewise linear model, AC model URL
Other diodes Zener Diode, Solar cell, Photo diode, LED, Schottky diode URL
Diode 회로(I) Rectifier circuits, Battery charger URL
Diode 회로(II) Full wave rectifier, Bridge rectifier circuits URL
8. Diode 회로(III) Filter, ripple voltage URL
Diode 회로(IV) Detector, Voltage doubler, voltage regulator URL
Clipper Circuit Single diode clipper, parallel diode clipper URL
9. Clamper Clamper circuit, Multiple diode circuits URL
Digital logic gate OR gate, AND gate, photo diode, LED URL
MOS의 동작원리 MOS 구조, 역전층, Threshold Voltage, URL
10. MOS의 전기적 특성(I) MOS의 전압-전류 특성, MOS의 출력특성, MOS의 동작 mode URL
MOS의 전기적 특성(II) 입력특성, 전달특성, 출력 특성, MOS의 symbol, CMOS URL
MOSFET 전기적 특성(II) Chanel length modulation, Subthreshold conducting, Body effect, Breakdown URL
11. MOSFET DC 회로 해석(I) Common Source 회로해석, 부하선 URL
MOSFET DC 회로 해석(II) PMOS 회로 해석, Load line, Graphic Analysis URL
MOSFET 회로 설계 Source 저항의 역할, Bias line, Inverter 회로 URL
12. Active Load(I) Active load 회로 해석, 전달특성, Enhancement mode URL
Active Load(II) Depletion mode MOS 회로 해석, 전달특성, CMOS 회로 URL
Digital Circuit Inverter, MOS에서의 소모 전력 URL
Amplifier Circuit NAND, NOR gate, MOS의 증폭원리 URL
다단증폭기 Current Source 회로, 다단증폭기회로 DC 해석 URL
JFET JFET, MESFET 동작 원리, DC 회로해석 URL
13. MOS Amplifier(I) Graphic 해석, 동작점 위치 선정, 교류성분의 입출력 관계 URL
MOS Amplifier(II) DC+AC 해석, AC model, PMOS ac 등가 model URL
증폭기 AC 해석 AC parameter, AC 등가회로, 전압증폭율, CS Amplifier URL
14. Common Source Amplifier 입력전압의 최대폭, Source 저항에 따른 증폭율 변화 URL
Common Drain Amplifier 입출력저항, CD 증폭기 증폭율, buffer, Loading effect URL
Common Gate Amplifier CD 증폭기 예제, CG 증폭기 특성, CG 증폭기 예제 URL
15. Amplifier with Active load Active load 증폭기 해석, Ehancement, Depletion mode URL
CMOS Amplifier CMOS Common Source, Common Drain, Common Gate URL
Multi-stage Amplifier Casecade Amplifier, Cascode Amplifier 회로 해석 URL
JFET JFET의 AC 등가 회로 및 회로해석 URL

연관 자료

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사용자 의견

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sam0819 2020-08-05
왜 id vs Vo 그래프에서 Vdd까지만 생각하자는 건지 이해가 잘 안됩니다. 그리고 subthreshold conducting 때문에 전압이 생기는 현상이 출력특성곡선의 그래프가 감소하는 결과로 이어지는 지도 잘 모르겠습니다
sam0819 2020-08-05
교수님 질문이 있습니다! 12강 Active Load(I) 부분인데요.25분 17초에서 v가 음수일 때는 단자가 바뀌어 버리기 때문에 음수 부분은 생각하지 않는다고 하셨는데 이게 Vdd랑은 무슨 관계 인지 잘 모르겠습니다.
myung4257 2020-08-02
Op-Amp.에 대한 강의는 없습니다.
hhhhhhv1 2020-08-01
제가 찾지 못한것인지 아니면 교수님께서 건너뛰신것인지 여쭤보고 싶습니다. 감사합니다
hhhhhhv1 2020-08-01
교수님 안녕하십니까. 어느덧 공부하다보니 마지막 강의까지 듣게 되었습니다. 다음 커리큘럼에 질문드릴게 있어서 이렇게 글 남깁니다. 전자회로2와 전자회로3의 강의목록을 보니 op-amp 부분이 보이지 않아서
myung4257 2020-07-19
D1에 흐르는 전류가 D2쪽으로 흐르려면 다이오드 방향이 반대가 되어야합니다. 즉 다이오드에 흐르는 전류의 방향은 항상 anode에서 cathode로 흐릅니다.
sam0819 2020-07-17
교수님 안녕하세요! 강의 듣다가 질문이 생겨서 글 올립니다~ 7강 Diode 회로(I) 마지막 부분 전파 정류 회로에서 D1으로 흐르는 전류가 저항 쪽이랑 D2쪽으로 나뉘는데 왜 D2쪽으로는 못 흐르는건가요?
hhhhhhv1 2020-07-16
감사합니다 교수님. 건강 유의하시고 좋은 하루 보내시기 바랍니다
myung4257 2020-07-16
D1의 왼쪽 loop로 loop방정식을 구할려면 저항이 있기 때문에 흐르는 전류를 알아야 합니다. 오른쪽 loop에 대한 loop 방정식을 구하면 vD1 = vo - VB1 됩니다.
hhhhhhv1 2020-07-16
VD1=VI-VD1 이라고 생각하였는데, 어떻게하여 V0-VB2 가 되는지 궁금합니다.
hhhhhhv1 2020-07-16
교수님 안녕하십니까, 강의 잘 듣고 있습니다. 영상 시청 중 궁금한점이 생겨서 질문 드립니다. 8-3의 paralled-based diode clipper 강의영상 22ᚪ 즈음, D1이 off, D2가 on 된 상황에서 VD1=V0-VB2 라고 하셨는데
myung4257 2020-07-15
네 맞습니다. 기울기가 Vt가 아니고 1/Vt 입니다.
sam0819 2020-07-14
교수님 안녕하세요! 강의 잘 듣고 있습니다~ 그 6강 PN접합3에서 ln(id) vs vd 그래프의 기울기가 왜 Vt인지 잘 모르겠습니다. 수식 ln(id)=ln(Is)+ (vd)* 1/Vt에 따르면 기울기는 1/Vt가 맞지 않나요?
myung4257 2020-05-23
수식적으로 착각을 했네요 vD1 = vs-vo = vs + R/(R+rD) * (vs + Vr) < Vr 로 수정해야 합니다. 따라서 vs < rD/ƒ+rD) * Vr이 되지만 결과는 달라지지 않습니다.
wwwjsdnrud 2020-05-20
7강 Diode 회로(II)에서 12분-13분대에 Vo는 -(R/R+rD)(Vs+Vr)였는데 왜 2번 조건 구할때는 Vo에 Vs-Vr로 대입되는 건가요?
myung4257 2020-05-18
교보문고에서 판매권을 가지고 있으니 교보문고로 알아보세요.
kang490 2020-05-16
안녕하세요.교수님. 항상 감사히 강의를 보고 있습니다. 다름이 아니라 교재를 구매하려고 보니 인터넷으로는 전부 품절인 상태라서 어디서 구해야 할지 막막합니다. 마땅한 교재 구입처가 있는지요?
myung4257 2020-03-24
포화영역에서 드레인 전류가 일정한 이유는 Vds증가하더라도 채널이 존재하는 부분은 전계의 변화가 없고 전압의 증가분이 모두 채널이 없는 부분에 걸리므로 전류의 변화는 없습니다.
0905juno 2020-03-23
교수님 MOS동작 관련된 질문입니다. Id-Vds 특성 그래프에서 Vds 값을 Vgs-Vtn 이상을 가해주어도 Id 값은 일정하게 saturation mode 로서의 동작을 보여주는데 Vds가 커져도Id가 일정한 이유(원인)은 무었인가요?
hanspow777 2020-03-21
감사합니다.
myung4257 2020-03-19
그렇게 생각해도 되고요 어떠한 방법으로든 전계가 존재하면 drift current가 발생하고 캐리어 농도차가 발생하면 diffusion current가 발생합니다. 전계라든디 캐리어 농도차이는 여러가지 방법으로 발생합니다.
hanspow777 2020-03-19
1. drift 전류는 외부에서 n형 반도체에 전계를 인가한다는 전제를 두고 생각해야 하는 것이 맞는지요? 2. diffusion 전류는 n형 반도체 외부양쪽에 농도가 다른 p형을 붙인다고 전제를 두어야 하는 건가요?
hanspow777 2020-03-19
안녕하세요. 선생님. bjt를 공부하다가 잠시 복습을 하던중 궁금한 것이 생겼습니다. 3강 반도체의 물성 강의 30분10초 부분에서,
hanspow777 2020-03-13
감사합니다. 선생님의 명강의를 듣다보니 전자회로1을 어느새 다 배우게 되었습니다. 진심으로 돈으로도 살 수 없는 귀한 기회를 주셔서 감사합니다.
myung4257 2020-03-13
JFET는 집적도에서도 장점이 없고 선형성에서도 장점이 없지만 대전류용(전력면에서 특성이 우수함.)으로 사용됨. 대략적으로 용도면으로 3가지가 나누어짐.
myung4257 2020-03-13
MOSFET는 집적도가 매우 우수하여 IC 칩으로 회로를 구성할 경우 매우 큰 장점을 가짐. 그러나 선형성이 BJT에 비해 다소 저조함.
myung4257 2020-03-13
BJT는 FET에 비해 선형성이 매우 우수합니다. 그러나 집적회로로 구성할 경우 집적도가 낮아서 개별 소자로 많이 사용합니다. 즉 PCB에 개별 트랜지스터로 사용될 경우 많이 사용함.
myung4257 2020-03-13
예 5k가 맞아요. 제가 실수했네요
hanspow777 2020-03-13
15강 마지막 강의 JFET 12분12초 부분에서 R1+R2+R3 값은 5K 가 아닌지요? 그리고 jfet 과 mosfet 과 bjt 의 용도는 어떻게 다른지요?
myung4257 2020-03-02
앗 틀렸네요. 포화영역이 될려면 Vds > Vds(sat.) = Vgs - VTn 입니다.
jlo1998 2020-03-02
답변 감사합니다. 그런데 포화영역에서 동작한다는 조건은 Vds>Vgs-Vtn일 때 아닌가요? 왜 Vtn과만 비교하는지 궁금합니다.
myung4257 2020-03-02
MOS가 포화영역에서 동작한다는 가정으로 계산한 값이므로 포화영역에서 동작하는지 여부를 점검하는 경우이므로 Vtn과 비교함.
jlo1998 2020-03-01
12강 4번째 강의에서 6분 쯔음에 vds=-30v라는 것은 0v보다 작을 떄 전압이 바뀌는 것이 되므로 안되는것 아닌가요? 왜 vtn과 크기 비교를 하시는 지궁금합니다.감사합니다
jlo1998 2020-02-27
네.감사합니다
myung4257 2020-02-27
네 맞아요. 제가 실수했네요. iD = knL {2 (-VTL)VDSL - VDSL^2 } 입니다.
jlo1998 2020-02-27
12강 active load 두번째 강의에서 13분 40초쯤에 id=knl{2(-vtnl)*(vdd-v0(-(vdd-v0)^2}여야 하는거 아닌가요 곱하기 2가 없는 것같아서 질문드립니다.
myung4257 2020-02-12
김명식입니다. 착각해서 반대로 말을 했네요 미안합니다. VDS의 값을 증가시켜야 함.
hanspow777 2020-02-12
입력전압의 진폭을 키우기 위해서는 DS전압이 높아져서 출력전압의 하단부가 잘리지 않게해야하는 것이 아닌지요? 그러려면 GS전압을 낮추기위해 저항R2를 작게해야할 것 같은데 가르쳐 주시면 감사하겠습니다
hanspow777 2020-02-12
14강 common source amplifier 30분 50초 지점에서, +쪽으로 입력할 수 있는 진폭이 좁으니, DS전압을 더 높여야 하는게 아닌지 여쭤봅니다. 입력전압이 출력으로 나올때 반전이되고,
myung4257 2020-02-11
김명식입니다. 네 맞아요 드레인과 소스사이의 DC전압이 5V이니까 5-vo 로 표기해야함.
hanspow777 2020-02-11
14강 common source amplifier 27분 16초 지점의 2.5 는 5로 써야하지 않는지 여쭤봅니다.
myung4257 2020-02-02
메 맞아요, 제가 실수했네요
jlo1998 2020-02-01
감사합니다!
hanspow777 2020-02-01
안녕하세요. 선생님. 좋은강의 항상 감사하는 마음으로 듣고 있습니다. 질문드립니다. 13번 강의 MosAmplifier 1 에서 34분31초 지점에서 RdKnVi^2 의 부호가 - 가 되어야 하는 것 아닌지요?
myung4257 2020-02-01
네 맞습니다. V_gammar는 ptype족이 + ntype쪽이 -극성입낟.
jlo1998 2020-01-31
순방향전압과역방향전압모두 저항이 전압과는 다른 극성으로 연결해있다고 이해하면 될까요? 교수님께서쓴식을 이해하려면다이어드전압전체가 -Vgamma+가 아닌 +Vgamma-로 연결되어있어야되는거아닌가요? 감사합니다
myung4257 2020-01-31
tɢ 전후로 다이오드에 걸리는 전압은 불변입니다.
myung4257 2020-01-31
스위치 변경 된 후 (tɢ+) 인 경우 VR(외부전압) = Rr X IR (저항에 걸리는 전압) - Vgamma (다이오드에 걸리는 전압)
myung4257 2020-01-31
순방향일때 전압관계는 Vf (인가전압) = Rf X ID(저항에 걸리는 전압) + Vgamma(다이오드에 걸리는 전압 )
myung4257 2020-01-31
김명식입니다. 순방향전압이 인가된 경우(t<0) 설명하면서 저항에 걸리는 전압의 극성을 반대로 표기했습니다. 그외는 틀린게 없습니다.
jlo1998 2020-01-30
또, reverse로 걸릴때는 +VR-Vr(저항에걸리는전압)-V_감마ɢ아닌가요 두 케이스 모두 저항에 걸리는 전압을 이해하지못해서 질문드립니다 감사합니다,
jlo1998 2020-01-30
7강에서forward로걸릴때모든소자의방향이(-)에서(+)로 가므로 kvL을 사용하면 Vf+VR(저항에걸리는전압)+V_감마ɢ인거아닌가요 그러면 VR=-(Vf+V_감마)인거아닌지 궁금합니다.감사합니다
hanspow777 2020-01-22
감사합니다.
myung4257 2020-01-21
다만 DC바이어스 전압을 높여 넓은 영역에서 MOS가 saturation 영역이 되게하고 또한 saturation 영역의 중앙점에 동작점이 있게 하면 distortion noise가 감소
myung4257 2020-01-21
김명식입니다. Distoryion noise를 완전히 제거할 수는 없습니다.
운영자2020-01-21
KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다.
hanspow777 2020-01-21
이 부분은 어떻게 해결해야하나요?
hanspow777 2020-01-21
다단 증폭의 경우 첫단에서 small signal 이라고 할만한 입력파가 입력되어서 잘 증폭된 출력파가 나왔다고 하더라도, 다음단의 입력으로 큰 입력의 정현파가 입력되면 다시 찌그러진 출력파가 나오게 되지않을까요?
hanspow777 2020-01-21
12강 중에서 Amplifier Circuit 강의 33분 40초 지점에서, 입력전압의 진폭이 작을수록 출력전압의 진폭도 오류가 적게 정현파로 나타난다고 하신부분에서 질문드립니다. 예를들면,
myung4257 2020-01-10
강의교재 "전자회로" 출판사 Mcgraww Hill Korea 역자 김규철외 9인, 원저자 : Donald A. Neamen 입니다.
uiui3313 2020-01-09
이 강의에 사용된 교재가 어느 것인지 알 수 있을까요?
hanspow777 2019-12-25
답변 감사드립니다. 선생님 덕분에 열심히 공부하고 있습니다.
myung4257 2019-12-24
금오공대 김명식입니다. knL의 표기해야하는데 kn으로 표기했습니다. 죄송합니다.
운영자2019-12-24
KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다.
hanspow777 2019-12-24
12강 액티브로드2 강좌 15분10초 부분에서 식을 정리하실 때 KnL 을 Kn 이라고 쓰셨는데, 왜 그런지 여쭤보고 싶습니다.
myung4257 2019-12-10
제가 착각을 한 모양입니다. 잘 쓰지않는 저항값이라 제가 잘못 알고 있었네요.
hanspow777 2019-12-10
MOSFET DC 해석 II 강의 33분10초 에서 표준저항값들이 1/12 간격이면 맨마지막 저항값은 8.3 이 되어야 하지 않을까요?
hanspow777 2019-12-09
감사합니다.
myung4257 2019-12-09
첫번째 1.0 두번째 숫자 exp ( 1/ 12) 세번째 exp ( 2 /12 ) ...
myung4257 2019-12-09
두번째 질문의 답입니다. 모두 12개의 숫자이므로 한칸은 1/12임 따라서 log(x) = n/12 (nɣ, 2, 3, ...) 소수점 둘째자리에서 반올림.
myung4257 2019-12-09
금오공대 김명식 입니다. 첫번째 질문은 내가 잘못 기입함. 2V임.
운영자2019-12-09
KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다. 답변이 오는 대로 안내드리겠습니다.
hanspow777 2019-12-08
칠판에 적어주신 간격으로 값이 나오지 않습니다.
hanspow777 2019-12-08
MOSFET DC 해석 II 강의 33분10초 에서 표준저항값들이 로그로 등간격이라고 하셨는데,로그값 계산을 어떻게 등간격으로 한것인지 알려주시면 감사하겠습니다. 상용로그나 자연로그 모두 log10, log20 등으로 해도
hanspow777 2019-12-08
MOSFET DC 해석 II 강의 38분15초 에서 전류식의 임계전압을 1볼트라고 하셨는데, 2볼트로 수정해야 하겠습니다.
hanspow777 2019-11-20
자세한 답변 감사드립니다.
myung4257 2019-11-19
변수가 여러개인 경우 편미분을 사용하고 미지수가 하나에 대한 표현일 경우 그냥 미분형식으로 사용하나 이 경우에도 편미분을 사용해도 무방함. 혹 변수가 많을 경우를 대비하여 편미분으로 표현함.
hanspow777 2019-11-18
라운드기호를 써서 미분할 때는 편미분을 의미하는 것인데, 무슨이유에서 편미분 기호를 쓰셨는지 알고 싶습니다.
hanspow777 2019-11-18
선생님. 10. MOS의 전기적특성 강의1 의 16분 지점에서 저항을 (라운드V / 라운드 I) 라고 하셨는데, 그냥 라운드 대신에 d를 써서 ( dV/dI) 이렇게 쓰는 것과 무슨차이가 있는지요?
운영자2019-11-18
KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다. 답변이 오는 대로 안내드리겠습니다.
parmax 2019-10-21
정말 최고의 강의입니다. 실무에 큰 도움이 됩니다. 그런데 카메라 촬영은 최악입니다.
hanspow777 2019-08-31
휴일에도 친히 답해 주셔서 진심으로 감사드립니다. 잘 이해가 되었습니다.
myung4257 2019-08-31
즉 다이오드에 전류가 흐르면 다이오드 양단에 V_감마 만큼 전압이 걸리다고 생각함. 이는 V_a의 값이 0임을 의미함.
myung4257 2019-08-31
V_a는 공핍층에 형성되는 전위장벽으로 0V가 된다는 것은 전위장벽이 사라져 확산전류를 제한하는 장벽이 사라짐을 의미함. 따라서 다이오드에 흐르는 전류는 주변회로에 의해 결정됨.
myung4257 2019-08-31
V_감마 도핑정도, 온도등에 따라 다르지만 일반적으로 회로에서는 0.6내지 0.7V정도로 둡니다.
hanspow777 2019-08-31
답변 감사드립니다. 그런데 실제 열평형 상태일때 V_감마 값은 얼마정도가 되는지요? 그리고 V_a 즉, 공핍층에 걸리는 전압이 0 이면 전류가 흐른다는 의미는 무엇인지요? 공핍층이 완전히 사라진다는 의미인지요?
myung4257 2019-08-30
5강에서 V_a = V_감마 - V_D 는 V_D가 V_감마 보다 작을 때 성립하는 식이고 일반적으로 전류가 흐르면 V_a = 0로 둘 수 있음.
myung4257 2019-08-30
V_f = V_R(저항에 걸리는 전압) + V_D , V_D = V_(감마) - V_a(공핍층에 걸리는 전압), V_a = 0
myung4257 2019-08-30
따라서 5강의 전압, V_D 와 7강의 V_f의 관계는 다음과 같습니다.
myung4257 2019-08-30
7강의 경우 저항이 있는 경우로 인가전압중 다이오드에 걸리는 전압은 V_감마와 같고 나머지 성분은 저항에 걸립니다.
myung4257 2019-08-30
5강은 저항이 없는 상태로 인가전압이 V_감마 와 비슷할 경우 전류가 흐름.
myung4257 2019-08-30
금오공대 김명식입니다. 답변이 다소 달라 다시 입력합니다.
운영자2019-08-29
Vf=VR/저항에 걸리는 전압/+VD, Va=Vr - VDɢ 입니다.
운영자2019-08-29
5강은 저항이 없는 경우이고 7강은 저항이 있는 경우로 5강의 전압 VD 는 다이오드에 걸리는 전압으로 7강의 Vf는 인가전압으로 다음과 같은 관계를 만족합니다.
운영자2019-08-29
강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다. => 이전 답변을 잘못 보내 다시 보냅니다. 답변은 다음과 같습니다
hanspow777 2019-08-27
공핍층 전압은 V감마 - V정방향전압 이라고 봐야되지않나요?
hanspow777 2019-08-27
t가 0보다 작은 상태, 즉 스위치를 역방향 바이어스 쪽으로 움직이기 전까지는 정방향바이어스가 걸려있는 상태로 충분한 시간이 지났다고 생각해야하는 것 아닌지요? 그렇다면
운영자2019-08-27
강의 7에서 설명한 경우는 시간의 개념을 고려한 경우로 공핍층 내에서의 carrier 상태를 시간에 따라 변화되는 모양을 고려한 경우임.
운영자2019-08-27
강의 5에서 설명한 부분은 시간의 개념이 없는 상태이므로 충분히 시간이 흐른 후에의 결과를 논한것임.
운영자2019-08-27
강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다.
hanspow777 2019-08-27
고 하셨습니다. 두가지가 서로 상충되니 이해가 어렵습니다. 이해를 도와주시기를 부탁드립니다.
hanspow777 2019-08-27
5강 p-n 접합 II 31분 20초 지점에서 정방향 전압이 인가되고 일정시간이 지난 상태라면 공핍층 양단에는 V감마-V정방향인가전압 에 해당하는 전압이 형성된다.
hanspow777 2019-08-27
선생님. 좋은 강의 감사드립니다. 한가지 질문도 드리고 싶은데요. 7강 p-n 다이오드 I 강의 2분 23초 지점에서 정방향 바이어스일때 전류흐름을 설명하시면서 공핍층양단 전압을 V감마 라고 하셨는데요
운영자2019-08-20
따라서 빗금친 부분의 hole이 재결합되는 양만큼 p영역에서 hole이 공급되어야 함.
운영자2019-08-20
p영역에서 n영역으로 들어오는 hole의 양과 n영역에서 재결합하는 hole의 양이 같아야 n영역에서의 hole량의 변화가 없음.
운영자2019-08-20
강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다.
hanspow777 2019-08-20
빗금친 이외의 영역의 크기만큼 홀이 공급되어 전자와 재결합 되어야 빗금친 부분만큼의 홀이 계속 유지 될 수 있지않나 하는 생각이 듭니다.
hanspow777 2019-08-20
공급되어야 한다고 하셨는데요. 재결합 되는 양은 그래프에서 빗금 친 부분이 아니라 빗금친 이외의 영역이 재결합되는 양이 아닌지요?
hanspow777 2019-08-20
6강. pn 접합 (III) 강의. 초반 5분 사이의 강의중 " n 영역에서 홀이 recombination 되는 양만큼 n 영역으로 홀이 공급되어야 일정 홀 농도가 유지될 수 있으므로, 우측 그래프에서 적분하시며 빗금을 치신 양만큼
운영자2019-07-23
강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다. 온도가 올라가면 캐리어의 mobility가 불순물 산란일 경우 증가하고 격자 산란일 경우 감소 함. 일반적으로 lattice scattering이 주가 되므로 mobility는 감소함
tjdgns8169 2019-07-20
MOSFET 전기적 특성(II) 강의 마지막 부분࿉분경)에서 온도가 높아지면 kn이 낮아진다고 하셨는데, 온도가 높아지면 모빌리티가 높아져서 kn이 높아질거라고 생각했는데, 낮아지는 요인이 있나요?
운영자2019-07-12
단 주변의 4개 Si 원자와 공유결합/자신의 전자 4개와 주변에서 주는 전자 4개 모두 8개의 전자로 이루어짐/으로 형성됨. 일반적으로 궤도의 모양과 위치는 수소원자 단독으로 존재할 경우에는 풀 수 있음 .
운영자2019-07-12
금오공대 답변입니다. 고전역학으로 생각하면 곤란한 경우임. 정확히 궤도의 모양이나 위치등은 알 수 없음.
hanspow777 2019-07-12
https://m.blog.naver.com/namgoocha/220513684758
hanspow777 2019-07-12
https://m.youtube.com/watch?v=ZouKOPfFjIQ 실리콘원자들이 결합할때 에너지밴드의 변화 참고사이트
hanspow777 2019-07-12
반도체의 물성 1에서. 예를들어 순수실리콘 원자 2개가 공유결합을 하면 공유된 전자는 두 원자를 모두 아우르는 8자모양의 궤도를 가지게 되는 건가요? 여러개의 원자가 공유되었을 땐 또 어떤궤도를 가지나요?
운영자2019-06-27
금오공대 답변입니다.전자의 의한 전류는 conduction band에 있는 전자에 의한 전류이고 정공에 의한 전류는 valence band에 있는 전자의 흐름을 나타낸것이므로 전자에 의한 전류와 정공에 의한 전류는 서로 별개임
hanspow777 2019-06-27
반도체의물성에 대한 강의3에서, 전체전류를 전자에의한 전류와 정공에의한 전류의 합이라고 하는데요. 전자의 흐름에의해서 전류가 1A가 흐른다면 정공도 그 반대급부로 똑같이 1A가 흐르게 되니 한 방향으로 2A가
운영자2019-06-25
KOCW입니다. 문의를 금오공과대학교로 전달했습니다. 답변이 오는 대로 안내드리겠습니다.
운영자2019-06-17
금오공과대 답변입니다-> 제가 착각을 하였네요. 비례상수가 VT 가 아니고 1/VT 입니다.
tjdgns8169 2019-06-16
6강 pn접합Ɠ) 강의 21분 32초 경 그래프 기울기가 왜 VT인지 의문이 들어 질문드립니다.
운영자2019-06-10
구조적으로는 CMOS가 아니지만 active load를 사용한 경우로 common source나 common gate와 같은 개념으로 이름을 사용한 경우임. 엄밀히 말하면 CMOS구조는 아님
운영자2019-06-10
금오공과대 답변입니다-> CMOS회로일 경우 NMOS와 PMOS가 연결되어야 하지만 active load를 연결한 Source follower 회로에서는 두개의 MOS가 같은 종류일 수밖에는 없음.
leelec 2019-06-10
CMOS 소스팔로워 증폭기 회로를 보면 n채널 MOSFET으로만 구성돼있는데 왜 CMOS 라고 불리는건가요??
leelec 2019-06-09
common gate 회로에서 입력등가저항이 Rsi 라고 하셨는데 책에는 1/gm 이라 나와있습니다 책 내용이 잘못된건가요??
운영자2019-06-05
출력저항도 마찬가지로 부하를 포함 또는 미포함 모두 가능하지만 여기에서는 미포함한 경우 입니다.
운영자2019-06-05
금오공과대 답변입니다->일반적으로 입력저항을 계산할 경우 전원의 저항값을 포함 또는 미포함 모두 가능하지만 여기에서는 전원의 저항을 미포함한 것임.
leelec 2019-06-01
캐스케이드 회로에서 입력등가저항과 출력등가저항을 구할 때 왜 Rsi 와 RL 저항은 고려하지 않는건가요???
운영자2019-04-25
금오공대의 답변입니다. 일반적으로 칩에서는 모든 NMOS의 body는 접지로 PMOS는 전원으로 연결됨. Source에 다른 소자가 연결될 경우 body와 source는 바로 연결이 안됨
nicobockko 2019-02-10
운영자님 질문 배달도 해주시나보네 개쩐당~~
iri123 2019-01-30
교수님 강의는 별5개인데 카메라때문에 집중 다 깨지고 칠판이 안보이네요
운영자2018-12-26
따라서 드레인과 소스사이에 걸리는 전압을 무시하여 0로 간주한다면 드레인 전류의 크기와 무관하게 걸리는 전압은 0가 되므로 스위치 on과 동일한 특성임
운영자2018-12-26
MOSFET가 Ohmic mode로 동작할 경우 드레인에 흐르는 전류와 드레인과 소스사이의 전압이 연관관계는 있지만 드레인과 소스 사이에 걸리는 전압은 그 크기가 작아 무시할 수 있다.
운영자2018-12-26
따라서 cutoff mode는 스위치 off 와 동일한 특성임. 스위치가 on일 경우 특성은 소자에 흐르는 전류의 크기와 무관하게 양단에 걸리는 전압은 0임.
운영자2018-12-26
금오공대 답변입니다.스위치가 off일경우 특성은 소자 양단에 걸리는 전압의 크기와 무관하게 전류가 흐르지 않음. MOSFET가 cutoff mode일 경우 드레인과 소스사이의 전압이 크기와 무관하게 드레드레인 전류가 0임
jhleegs0226 2018-12-21
MOSFET를 스위치로 on off로 사용시는 MOSFET의 어떤 mode 영역을 사용하는 것인지요? MOSFET가 off될때는cutoff영역에서 동작하는지는 알겠는데 MOSFET가 on 되어 (스위치 on)으로 동작할 때는 어떤 mode가 됩니까?
운영자2018-11-20
KOCW입니다. 문의에 대한 답변입니다. 등가회로를 그릴 경우 전류의 증감을 표기하기 때문에 전류의 방향은n-channel p-channel 모두 드레인에서 소스로 전류가 흐르고 크기는 gm Vgs 입니다.
als8473 2018-11-19
질문: active load를 사용한 amp구성시 ac 등가회로에서 전류원 방향을 원래 회로의 전류 방향을 생각하는것이 아니라 각각의 mos마다 등가회로의 단자를 적어놓은것에 Drain->Source로 잡으면 되나요??
운영자2018-09-21
KOCW입니다. 본 강의는 HTML 또는 Flash로 제공되는 강의입니다. 윈도우 미디어 플레이어로는 재생이 어렵습니다. 양해 부탁드립니다.
hjhi1 2018-09-21
처음에 동영상 재생하는 프로그램이 윈도우 미디어 플레이어로 재생됫으면 좋겠습니다 방법이 없을까요?
운영자2018-08-16
KOCW입니다. 금오공과대학교로 문의 내용 전달하여 영상 수정했습니다.
minji8221105 2018-08-15
pn diode2 와 piecewise linear model 강의의 상당부분이 겹치는 것 같습니다. 원래 이런가요??
ad5526 2018-05-31
12부분의 digital circuit강의가 관련강의가 아니고 active load의 연장강의 인것같습니다. amplifier circuit 강의로 넘어갈때 이어지지않아서 이해하기에 어려움이있네요.
운영자2018-05-18
KOCW입니다. 문의하신 내용은 김명식 교수님의 다른 강의 /Bipolar Junction Transistor/를 보시면 될 것 같습니다. 강의순서가 전자회로1, Bipolar Junction Transistor, 전자회로2 입니다.
wnsgma0317 2018-05-18
BJT (바이폴라접합트렌지스터)는 전자회로2에서 설명한다고 하셨는데 전자회로2에도 강의목록에 없습니다.. 혹시 따로 들을 수 있는 방법이 없는 것인가요??
운영자2018-04-13
현재도 아이폰 및 맥에서의 재생이 되지 않는 경우에는 고객센터 02-6271-0208,9로 연락주시기 바랍니다.
운영자2018-04-13
KOCW입니다. 확인하였으나 아이폰, 아이패드, 맥의 사파리에서는 모두 재생이 되고 window의 사파리에서는 재생이 되지 않는 것을 확인했습니다. windows 사파리에서의 재생오류는 수정중에 있습니다.
wjswnstjd11 2018-04-12
pn접합 1 부터 보고있는데 pn접합 2 도 마찬가지예요
wjswnstjd11 2018-04-12
1시간 반 쯤부터 모바일에서 영상이 재생되질 않아요 (아이폰 사파리에서 웹으로 보고있어요) 피씨에서도 그 쯔음부터는 계속 버퍼링만 도네요
운영자2018-01-23
예를 들면, 역방향 바이어스 된 pn diode의 drift current 브라운 관에 흐르는 전류 _전자총에서 화면으로 흐르는 전류_
운영자2018-01-23
문의 답변입니다. 채널에 존재하는 전자는 없지만 움직이는 전자는 존재하여 전류를 형성함. 이 경우 전압-전류관계는 오옴의 법칙이 성립하지 않고 일정 전류가 흐름.
skseofhek 2018-01-21
제가 생각하기에는 drain 쪽에 전자가 없어서 채널이 형성되지 않아서 Id가 흐르지 않을 것 같은데 어떻게 전류가 흐르는 지 궁금합니다.
skseofhek 2018-01-21
저도 질문하나 하겠습니다. 10강에서 Vgd
운영자2018-01-05
Diffusion current의 경우는 minority carrier의 life time이 짫기때문에 농도의 기울기가 급격해 minority carrier에 의해 지배된다고 생각할 수 있음
운영자2018-01-05
그러나 일반적으로는 drift current는 majority carrier에 의해 지배된다고 생각할 수 있음
운영자2018-01-05
예를 들어 GaAs의 경우 hole mobility가 electron mobility에 비해 현격이 작은 값이므로 low doping된 p-type의 경우 정공의 농도에 의해 drift current가 지배된다고 볼 수는 없음
운영자2018-01-05
이 문제는 큰수와 작은수를 합을 구할때 작은 수를 무시하는 경우입니다. drift current의 경우 이동율과 농도의 곱으로 결정되므로 전적으로 majority carrier에 지배된다고 볼 수는 없음.
운영자2018-01-05
KOCW운영팀입니다. 김명식 교수님의 답변 안내 드립니다.
epel2003 2018-01-02
여기에 질문 해도 될까요 3강에서 교수님이 diffusion current는 minority carrier에 의해 지배되고 drift current는 majoriry carrier에 의해 지배된다고 말씀 하셨는데 배운바에 의하면 반대여서 헷갈립니다.
dohyun0911 2017-12-11
진짜 잘가르쳐주세요!항상 강의 잘 듣고 있습니다^^금오공대 학생들 진짜 부러워요ㅠㅜ교수님 헤어스타일도 진짜 멋지세요!뒤에서 보면 그라데이션으로 보이는데 혹시 일부러 염색을 하시는 건가요? 아이돌 같아요!
bingsu7 2017-06-23
교수님 열정넘치시고 강의는 너무 좋습니다. 근데 카메라가 ㅡㅡ
djawpqhd 2017-06-04
수업은 좋은데 진짜 카메라맨 때문에 제가 살다살다 글을 다 남기네요 덕분에 흐름이 깨지네요 교수님만따라 다시시나요 수업이란게 흐름이데 줌인 줌아웃 계속하시고 왔다갔다하시고..강의가 있음에감사해야겠네요
god2004586 2017-04-17
최고의 수업입니다. 꼭 들으시길
littlepiano 2017-03-01
정말 기본기부터 제대로 가르쳐주시는 교수님임.
ysmkwz52 2016-09-27
아 카메라 진짜.. 강의점수100을 1점으로 내려가게 하네요 얼굴한번보고 뭐가 불만이냐고 묻고 싶을정도네요
likeabc 2016-07-05
♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡교수님 사랑합니다♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡
운영자2016-05-24
KOCW운영팀입니다. 강의교재는 전자회로, 김규철외 9인 역, McGraw-Hill Korea 입니다.
gofly7 2016-05-23
강의 교재 좀 알아봐주세요 :)
wjstmdrb231 2016-03-05
명강입니다 정말!! . 금오공대가 부럽군요.
asaos123 2015-10-30
설명을 꼼꼼하게 잘 해주셔서 이해가 잘 되었습니다. 강의에 질은 정말 좋은데 아쉬운 점은 카메라 포커스가 강의하는 부분을 잡지않고 다른 곳을 많이 잡아주어 보기가 좀 불편했습니다.
kyj6076 2015-05-05
판서를 다 하시는 열정 대단하십니다 감사합니다

이용방법

  • 플래쉬 유형 강의 이용시 필요한 프로그램 [바로가기]


    ※ 강의별로 교수님의 사정에 따라 전체 차시 중 일부 차시만 공개되는 경우가 있으니 양해 부탁드립니다.

이용조건